Дан подробный обзор полнопотенциального метода с базисом из присоединенных плоских волн (FPLAPW), основанный на теории функционала плотности (DFT). Приведены многочисленные формулы для проведения конкретных теоретических расчетов электронно-энергетической структуры (ЭЭС) сложных полупроводниковых материалов. Значительное внимание уделено различным обменно-корреляционным потенциалам, в том числе орбитально-зависимому обменно-корреляционному потенциалу в приближении LDA+U и модифицированному обменно-корреляционному потенциалу Беке-Джонсона (mBJ). Приведены основные формулы для расчета тензора диэлектрической проницаемости и оптических характеристик твердых тел для основного состояния (GS). Сделан обзор решения двухчастичного уравнения Бете-Солпитера (BSE) для расчета рентгеновских спектров поглощения глубоких уровней. Посвящена многочисленным расчетам сложных полупроводниковых халькогенидов и халькогалогенидов. Приведены рассчитанные плотности электронных состояний (DOS) в сравнении с полученными авторами монографии рентгеновскими и рентгеноэлектронными спектрами фосфорсодержащих сульфидов Tl3PS4, Sn2P2S6, InPS4, галидов Cs2HgX4 (X = Cl, Br, I), соединений типа APb2Br5 (A= K, Pb), в Tl4HgBr6 и ряде четверных соединений (Cu2CdGeS4, Ag2CdSnS4, Ag2HgSnS4). Для всех исследованных соединений проведены расчеты тензора диэлектрической проницаемости и оптических характеристик.