В монографии излагаются научные основы электронного строения кубических и вюртцитных нитридов А3В5, карбида кремния. В рамках теории многократного рассеяния методом ЛКП выполнены расчеты электронного энергетического спектра, проведена интерпретация экспериментальных данных по фотоэлектронному и рентгеновскому рассеянию для этих соединений. В предположении неизменности кристаллографической симметрии решетки, прослежены изменения электронной энергетической структуры при постепенной замене одного из компонентов соединения другим. В качестве исследуемого объекта рассматривалось не единичное соединение, а диаграмма состава как целое, что позволило качественно расширить классы изучаемых объектов и обеспечить универсальность постановки и серийность получаемых результатов. Установлены концентрационные зависимости модуля всестороннего сжатия В0 и ширины валентной и запрещенной полос для кубических и вюртцитных кристаллов изученного класса соединений. Приведены результаты теоретического изучения электронной структуры, эффективных зарядов и компонент тензора эффективных масс носителей заряда в прямозонных полупроводниках InxGa1-xN с большим содержанием индия, в рамках теории функционала плотности. Монография предназначена для специалистов, работающих в области опто- и микроэлектроники, квантовой химии твёрдого тела, а также аспирантов и студентов университетов.