Приведены различные способы построения моделей миграции жидких включений в кристалле в поле температурного градиента.

Содержит краткую теорию, описание рабочих установок и методику экспериментального определения ряда физических величин.

Приводятся четыре задачи по расчету электрических параметров схем, содержащих полупроводниковые элементы, и методика решения этих задач. Содержатся сведения из теории, необходимые для выполнения решения задач, приведены решения всех вариантов.

Рассматривается состав, строение и свойства широко применяемых в электротехнической промышленности электроизоляционных, проводниковых, полупроводниковых и магнитных материалов. Предназначается для студентов вузов неметаллургичеокого профиля.

Приводятся методические указания для проведения лабораторной работы по дисциплине «Физические основы микроэлектроники».

Практикум содержит краткую теорию, описание рабочих установок и методику экспериментального определения ряда физических величин. Предназначен для студентов инженерных направлений подготовки всех форм обучения, в программу учебного курса которых входит в

В монографии излагаются научные основы электронного строения кубических и вюртцитных нитридов А3В5, карбида кремния.

Физические основы работы полупроводниковых приборов (оптопар, биполярного и полевого транзисторов): метод. указания к лабораторным работам №1, 1П, 24а.– Ростов н/Д: Издательский центр ДГТУ, 2014 – 30 с.