Приведены различные способы построения моделей миграции жидких включений в кристалле в поле температурного градиента. Проанализированы возможности расширения этих моделей с учетом основных технологически важных физических явлений и факторов, сопровождающих термомиграцию включения в кристалле. Дано микроскопическое описание кристаллических решеток, которое служит основой для расчетов теплофизических и оптических характеристик кристаллов с заданными свойствами. На основе результатов экспериментальных исследований процессов кристаллизации многокомпонентных структур выявлены закономерности формирования полупроводниковых материалов в градиентном поле и сформулированы принципы технологического воздействия на кристаллизующуюся систему. Предназначена для научных работников, исследователей и инженеров, занимающихся применением градиентной жидкофазной эпитаксии как для выращивания совершенных кристаллических слоев гетерогенных структур, так и для физических и физико-химических исследований процессов роста кристаллов. Изложенные алгоритмы построения моделей могут быть полезны аспирантам, специализирующимся в области технологии и оборудования для полупроводников, материалов и приборов электронной техники.